中國儀器儀表學會科學技術獎自2001年3月經(jīng)國家科技部批準設立后，歷經(jīng)20余年的成長，行業(yè)認可度和影響力不斷提升，獲獎項目涵蓋制造業(yè)、能源、化工、國防、醫(yī)療、環(huán)保、航空航天等十幾個領域，已成為我國儀器儀表領域的最高科學技術獎，經(jīng)我會提名的成果屢獲國家科技獎。
我會2022年度科技獎申報工作正在進行中，歡迎有關單位積極申報。
項目名稱：大尺寸高效率極紫外與X射線薄膜器件技術及應用
獲獎等級：2021年技術發(fā)明一等獎
主要完成單位：同濟大學
主要完成人：王占山，黃秋實，張眾，齊潤澤，伊圣振，李文斌
極紫外與X射線(XUV)光學技術對前沿科學問題解決、國防裝備進步、高新技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展有重大支撐作用。XUV薄膜器件是其光學系統(tǒng)的核心，膜厚僅為幾納米至不足1納米。受納米薄膜界面缺陷形成規(guī)律認識和制備技術的限制，XUV薄膜器件長期存在反射率低、器件尺寸小、衍射效率差三大問題，無法滿足同步輻射光源和強場等離子體診斷等重大科學工程建設的需求，亟待創(chuàng)新。
項目組開展了大尺寸高效率XUV薄膜器件的精密表征方法和膜層界面缺陷形成規(guī)律的創(chuàng)新研究，發(fā)明了系列關鍵制備技術，顯著提升了器件整體性能。主要發(fā)明點如下：
1. 創(chuàng)建了XUV薄膜器件界面缺陷的解耦精確表征方法，揭示了原子不均勻結(jié)晶、擴散混合和化合反應三大缺陷的形成規(guī)律，闡明了界面缺陷對膜層間折射率差異的影響，獲得了其與反射率的構效關系。
2.發(fā)明了基于不同材料的原子級阻隔層和氬氮混合反應濺射的XUV薄膜器件界面缺陷調(diào)控技術，解決了膜層不均勻結(jié)晶、擴散混合和化合反應有效抑制的難題，顯著提升了XUV薄膜器件的反射率。
3.發(fā)明了傾斜粒子調(diào)控和膜厚精確控制等大尺寸XUV薄膜生長技術，研制了鍍膜設備，突破了大尺寸納米薄膜生長中界面結(jié)構和膜層厚度的控制難題，實現(xiàn)了大尺寸高反射率多層膜制備。
4)發(fā)明了XUV納米薄膜在微納結(jié)構上的復形生長技術，解決了光柵基底上薄膜生長的界面不均勻擴散兩維調(diào)控難題，實現(xiàn)了二維多層膜光柵的精確構筑，大幅提升了光柵器件的衍射效率。
該項目獲授權發(fā)明專利16項，發(fā)表SCI論文72篇；研制的XUV薄膜器件在英國Diamond光源、德國BESSY-II光源、上海光源、北京光源、中國工程物理研究院等國內(nèi)外科研院所獲得成功應用；近三年，實現(xiàn)直接經(jīng)濟效益逾6千萬元。中國儀器儀表學會組織專家組對本項目成果進行了鑒定，結(jié)論為：“本項成果整體性能達到國際先進水平，其中XUV薄膜反射率和多層膜光柵效率達到國際領先水平”。
原標題：中國儀器儀表學會科學技術獎獲獎項目成果展示(一)
特此聲明：
1. 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點。
2. 請文章來源方確保投稿文章內(nèi)容及其附屬圖片無版權爭議問題，如發(fā)生涉及內(nèi)容、版權等問題，文章來源方自負相關法律責任。
3. 如涉及作品內(nèi)容、版權等問題，請在作品發(fā)表之日內(nèi)起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關權益。